Quantum Design社製のPPMSが2台導入されています。9Tまでの磁場を印加することが可能で、かつHe3オプションを使用すると380Kから0.35Kまで温度を自在に制御することができます。抵抗測定や比熱測定を行うことができます。

分子線エピキタシー法を用いて、超高品質の製膜を行うことができます。

装置内は窒素ガスで満たされており、嫌気性物質の合成・測定・保管に使用しています。

有機用と酸用の二台のチャンバーが設置されています。

装置内はアルゴンで満たされており、メインルームにあるものと同じように嫌気性物質の取り扱い等に使用します。

合成（化学気相成長：CVT）に用いられます。

数百ナノメートル程度の誤差で電子線を描画でき、数マイクロメートル程度のデバイスを作製することができます。これにより微小な試料の測定も可能になります。

主にナノデバイス作製のため、チタンや金などの金属薄膜を蒸着します。

紫外線を用いて、酸素ガスからオゾンを発生させ、試料に付着した有機物等を分解・除去します。

磁場を印加し、物質の磁化を測定することができます。

ラマン分光だけでなく、円偏光測定にも使用しています。

液体Heを使用しなくても4Kまで冷却することができます。岩佐研には２台のHeフリー冷凍機がありますが、うち１台は磁場を印加することも可能です。

試料の電気伝導測定を行うことができます。

この装置は表面の微小な凹凸を観測することができ、作製した試料の平坦性や薄膜の厚みを調べるのに用いています。